حافظه فلش فوق‌سریع eMMC 5.1
سامسونگ به‌تازگی اولین حافظه فلش eMMC 5.1 خود را معرفی کرده است. حافظه‌ای که احتمالاً به گلکسی اس 6 راه پیدا کند. فناوری این حافظه فلش NAND جدید که منطبق بر استانداردهای JEDEC است (استاندارد صنعت نیمه‌رسانا)، عملکرد شگفت‌انگیزی نسبت به SSD های قبلی به ارمغان خواهد آورد. بیانیه سامسونگ، که مدل 64 گیگابایتی را به‌طور خاص مدنظر قرار داده، ادعا می‌کند که این حافظه جدید می‌تواند به حداکثر سرعت 250 مگابایت بر ثانیه در خواندن و 125 مگابایت بر ثانیه در نوشتن اطلاعات ترتیبی برسد.
برای سرعت عملیات خواندن و نوشتن تصادفی اطلاعات، سامسونگ مقدار 11000 IOPS (عملیات ورودی-خروجی در ثانیه) برای خواندن و 13000 IOPS را برای نوشتن اعلام کرده است. به گفته سامسونگ، این سرعت در خواندن 7 برابر و در نوشتن 26 برابر سرعت کارت‌های MicroSD معمولی است. حافظه‌های معمولی MicroSD سرعت خواندن و نوشتن تصادفی حدود 1500 IOPS و 500 IOPS را دارند.
این چیپ‌های جدید، همچنین به‌عنوان اولین مورد در صنعت هستند که عمل صف‌بندی فرمان‌ها (Command Queuing) را انجام می‌دهند، قابلیتی که امکان صف‌بندی چند فرمان را قبل از اتمام فرمان‌ها قبلی فراهم می‌کند و این به قابلیت چندکارگی (Multitasking) کمک زیادی می‌کند.
ویژگی دیگر این چیپ حافظه جدید، پروتکل امنیتی “Secure Write Protection” است و اطمینان می‌دهد که فقط کاربران خاص و تعیین‌شده می‌توانند به بخش‌های امنیتی این eMMC دسترسی پیدا کنند.
سامسونگ امیدوار است که این حافظه در سال‌های پیش رو در میان تولیدکنندگان اسمارتفون و تبلت محبوبیت پیدا کند. سامسونگ گفته که اکنون در حال آماده کردن این چیپ‌ها برای تحویل به تولیدکنندگان تجهیزات اسمارتفون و تبلت است. سؤالی که باقی می‌ماند این است که آیا به‌زودی و در گلکسی اس 6 نیز شاهد حضور این قطعه جدید و نوآورانه خواهیم بود
